盤(pán)點(diǎn)中國(guó)集成電路史上最具代表性的六位科學(xué)家

如今，集成電路已成為我國(guó)的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)之一，隨著市場(chǎng)需求的暴漲，越來(lái)越多的企業(yè)加入其中。在推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中，有很多科學(xué)家做出了巨大貢獻(xiàn)，他(她)們?yōu)檫@個(gè)產(chǎn)業(yè)打好了基礎(chǔ)，才有了現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)的繁榮。

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了四個(gè)發(fā)展階段。第一階段是1965年到1978年，以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開(kāi)發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件;

第二階段是1978年到1990年，主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化;

第三階段是1990年到2000年，以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開(kāi)發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展;

第四階段是2000年到現(xiàn)在，智能手機(jī)和消費(fèi)電子的快速發(fā)展帶動(dòng)了集成電路的發(fā)展，以上海、北京、深圳作為第一梯隊(duì)，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)整體快速發(fā)展的同時(shí)，中國(guó)集成電路企業(yè)實(shí)力也得到了顯著提升。

中國(guó)集成電路史上最具代表性的六位科學(xué)家

一、黃敞：中國(guó)航天微電子與微計(jì)算機(jī)技術(shù)的奠基人

1934年9月入南京五臺(tái)山小學(xué)學(xué)習(xí)，后隨父母搬遷，先后就讀于湖南長(zhǎng)沙下馬嶺小學(xué)、香港中華中學(xué)附小。1953年獲得美國(guó)哈佛大學(xué)博士學(xué)位后，1953年至1958年期間，黃敞先生受聘于雪爾凡尼亞半導(dǎo)體廠，相繼擔(dān)任高級(jí)工程師、專家工程師和工程經(jīng)理，從事半導(dǎo)體前沿科學(xué)研究工作。

20世紀(jì)50年代初中期，當(dāng)時(shí)國(guó)際的半導(dǎo)體、晶體管理論與工藝技術(shù)處于研究開(kāi)發(fā)階段。這一時(shí)期，身在美國(guó)的黃敞先生把研究重心放在了晶體管理論及制作工藝等半導(dǎo)體前沿科學(xué)上，通過(guò)在美國(guó)多家著名企業(yè)和院校進(jìn)行晶體管理論與技術(shù)的探索研究，系統(tǒng)論述了晶體管理論和應(yīng)用，發(fā)表論文20余篇，獲得美國(guó)專利10項(xiàng)。

1965年，為發(fā)展航天微電子與微計(jì)算機(jī)事業(yè)，黃敞先生調(diào)至同年組建的中國(guó)科學(xué)院156工程處，即771所前身，開(kāi)始從事航天微電子與微計(jì)算機(jī)事業(yè)。黃敞成功研制出固體火箭用CMOS集成電路計(jì)算機(jī)，使我國(guó)衛(wèi)星運(yùn)載技術(shù)跨上了新臺(tái)階，也為后續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。1975年，主持研制的大規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成的I2L微計(jì)算機(jī)，獲得了1978年全國(guó)第一次科學(xué)技術(shù)大會(huì)質(zhì)量金獎(jiǎng)。

二、鄧中翰：中國(guó)芯片之父

1968年9月5日出生于江蘇南京，微電子學(xué)、大規(guī)模集成電路及系統(tǒng)專家，中國(guó)工程院院士，星光中國(guó)芯工程總指揮，中星微集團(tuán)創(chuàng)建人，1987年9月，鄧中翰考入中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)地球和空間科學(xué)系 ，在大學(xué)期間，鄧中翰就在黃培華教授的指導(dǎo)下，進(jìn)行科學(xué)研究。1992年6月，本科畢業(yè)，獲得學(xué)士學(xué)位后赴美留學(xué)，進(jìn)入加利福尼亞大學(xué)伯克利分校學(xué)習(xí)，先后獲得物理學(xué)碩士、經(jīng)濟(jì)學(xué)碩士、電子工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)博士，成為該校成立130年來(lái)橫跨理、工、商三科學(xué)位的第一人。

2005年，鄧中翰領(lǐng)導(dǎo)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出的“星光”系列數(shù)字多媒體芯片，實(shí)現(xiàn)了八大核心技術(shù)突破，申請(qǐng)了該領(lǐng)域2000多項(xiàng)中國(guó)國(guó)內(nèi)外技術(shù)專利，取得了核心技術(shù)突破和大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的一系列重要成果，這是具有中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路芯片第一次在一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域達(dá)到全球市場(chǎng)領(lǐng)先地位，徹底結(jié)束了中國(guó)了“無(wú)芯”的歷史 。

鄧中翰是中國(guó)大規(guī)模集成電路及系統(tǒng)技術(shù)主要開(kāi)拓者之一，鄧中翰在“星光中國(guó)芯工程”中做出了突出成就，被業(yè)界稱為“中國(guó)芯之父” 。

三、沈緒榜：研制16位嵌入式微計(jì)算機(jī)促進(jìn)NMOS技術(shù)的發(fā)展

1933年生于臨澧縣烽火鄉(xiāng)蘭田村，1953年沈緒榜考入武漢大學(xué)數(shù)學(xué)系，中國(guó)計(jì)算機(jī)專家、中國(guó)科學(xué)院院士，1957年畢業(yè)于北京大學(xué)數(shù)學(xué)力學(xué)系。中國(guó)航天時(shí)代電子公司第七七一研究所研究員，大學(xué)兼職教授，一直從事嵌入式計(jì)算機(jī)及其芯片的設(shè)計(jì)工作。

沈緒榜一直從事航天計(jì)算機(jī)及其國(guó)產(chǎn)芯片的設(shè)計(jì)研制工作，并作出了重大貢獻(xiàn)。1965年，他設(shè)計(jì)研制了我國(guó)第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)雙極小規(guī)模集成電路航天制導(dǎo)計(jì)算機(jī)，并首次研制出了我國(guó)第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)PMOS中規(guī)模集成電路航天制導(dǎo)計(jì)算機(jī)，促進(jìn)了中國(guó)PMOS集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展。

1977年完成了我國(guó)第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)NMOS大規(guī)模集成電路航天專用16位微計(jì)算機(jī)的研制，獲國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，他研制的專用大規(guī)模集成電路運(yùn)算邏輯部件ALU于1988年獲國(guó)防專用國(guó)家級(jí)科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。

四、許居衍：創(chuàng)建中國(guó)第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所

1934年7月9日 出生于福建省閩侯縣，1953-1956年 廈門(mén)大學(xué)物理系學(xué)習(xí)，1956-1957年 北京大學(xué)物理系學(xué)習(xí)。1970年，他參與了中國(guó)第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所——第二十四研究所的創(chuàng)建，組織中國(guó)第一塊硅平面單片集成電路的研制定型、參與計(jì)算機(jī)輔助制版系統(tǒng)及離子注入技術(shù)的基礎(chǔ)研究，在集成電路工程技術(shù)的研究方面作出了創(chuàng)新性貢獻(xiàn)。

1978年起，他開(kāi)始擔(dān)任所級(jí)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)工作，對(duì)24所在確定科技方向、預(yù)先研究、繁榮學(xué)術(shù)活動(dòng)和加速人才培養(yǎng)、組織科技攻關(guān)等方面，均做出了明顯成績(jī)。在他擔(dān)任總工程師期間，24 所完成了4K、16K、64K DRAM、八位微機(jī)、超高速ECL、八位數(shù)模轉(zhuǎn)換器等重大科技開(kāi)發(fā)工作，先后獲得國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)，部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)10多項(xiàng)。

許居衍同志是中國(guó)微電子工業(yè)初創(chuàng)奠基的參與者和當(dāng)今最重點(diǎn)企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)建與開(kāi)拓者，為中國(guó)微電子工業(yè)發(fā)展作出了重大貢獻(xiàn)。

五、林為干：中國(guó)微波之父

1919年10月20日生于廣東臺(tái)山縣.中國(guó)科學(xué)院院士、微波理論學(xué)家、電子科技大學(xué)教授。1939年畢業(yè)于清華大學(xué)。1951年獲美國(guó)加州大學(xué)博士學(xué)位，1951年回國(guó)后，在嶺南大學(xué)、華南工學(xué)院任教。

林為干對(duì)中國(guó)電磁科學(xué)的發(fā)展作出了杰出的貢獻(xiàn)，他50年來(lái)在此領(lǐng)域耕耘至今，其主要科技成就為閉合場(chǎng)理論，開(kāi)放場(chǎng)理論和鏡像理論。在閉合場(chǎng)理論方面，他發(fā)表了“一腔多模擬微波濾波器”的觀點(diǎn)，奠定了一腔多模的作用，林為干開(kāi)展了毫米波技術(shù)和寬帶光纖技術(shù)等方面的系統(tǒng)研究，完成了一大批國(guó)家科研任務(wù)，取得了一系列成果。

正是由于他在國(guó)內(nèi)微波理論方面作出的開(kāi)拓性貢獻(xiàn)，香港中文大學(xué)在1993年邀請(qǐng)林為干做學(xué)術(shù)報(bào)告時(shí)，尊他為“中國(guó)微波之父”。

六、吳德馨：國(guó)內(nèi)首次成功研制硅平面型高速開(kāi)關(guān)晶體管

1936出生于河北樂(lè)亭，半導(dǎo)體器件和集成電路專家，1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系，主要從事化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路。

60年代初，吳德馨在國(guó)內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開(kāi)關(guān)晶體管，所提出的提高開(kāi)關(guān)速度的方案被廣泛采用，并向全國(guó)推廣，60年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路，70年代末研究成功MOS4K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。在國(guó)內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率的研究。

吳德馨在國(guó)內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)激光器和光纖的無(wú)源耦合，并研究成功工作速率達(dá)10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進(jìn)的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù)，獲1998年中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和1999年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

俗話說(shuō)：喝水不忘挖井人，我們?cè)谙硎芗夹g(shù)帶來(lái)便利的同時(shí)，也不要忘了那些為開(kāi)拓技術(shù)獻(xiàn)身的人，他(她)們是國(guó)家和集成電路產(chǎn)業(yè)的驕傲，筆者列出這些科學(xué)家的目的一方面是表示對(duì)這些科學(xué)家的敬意，另一方面是鼓勵(lì)更多的企業(yè)或個(gè)人為中國(guó)集成電路做出更大的貢獻(xiàn)，助力“中國(guó)芯”的發(fā)展。